Karbid kremíka SiC je zložený polovodičový materiál zložený z uhlíkových a kremíkových prvkov. Je to jeden z ideálnych materiálov na výrobu vysokoteplotných, vysokofrekvenčných, vysokovýkonných a vysokonapäťových zariadení.
Hlavné výhody surovín z karbidu kremíka sa odrážajú v:
(1) Odolnosť voči vysokému napätiu: nižšia impedancia, širšia pásmová medzera, vydrží väčší prúd a napätie, čo vedie k menšej veľkosti dizajnu produktu a vyššej účinnosti;
(2) Vysokofrekvenčný odpor: V zariadeniach SiC počas procesu vypínania nedochádza k žiadnemu úbytku prúdu, čo môže účinne zvýšiť rýchlosť spínania komponentu (asi 3-10-krát rýchlejšie ako Si) a je vhodné pre vyššie frekvencie a rýchlejšie spínacie rýchlosti. ;
(3) Odolnosť voči vysokej teplote: SiC má vyššiu tepelnú vodivosť ako kremík a môže pracovať pri vyšších teplotách.
V porovnaní s tradičným kremíkovým materiálom (Si) je zakázané pásmo karbidu kremíka (SiC) 3-krát väčšie ako u kremíka; tepelná vodivosť je 4-5-krát vyššia ako u kremíka; prierazné napätie je 8-10-násobok napätia kremíka; a rýchlosť driftu saturácie elektrónov 2-3 krát vyššia ako u kremíka.
